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顶级DSLR新品 佳能EOS 1D X全新技术解析

0 2012-05-04 13:27:00   蜂鸟网   作者:蔡欣欣   责编: [原创]
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·1810万像素全画幅CMOS图像感应器

    佳能EOS-1D X配置有一块约1810万像素的35mm全画幅CMOS,感应器有效面积约为36×24毫米。

    而本块CMOS图像感应器的半导体制造,比之前拥有了更加精细的高集成度制造工艺,以确保光电二极管面积的同时,信号读取电路的配置也可变更。正因为如此,使得1D X的光信号积蓄和传送比之前更加有效率,而像素尺寸也得到大幅度提高,达到了约6.95×6.95微米。

佳能公布顶级DSLR新品EOS 1D X技术详情
进化的高集成度工艺

    而佳能1D X为了提高聚光率,增加向光电二极管传递的光量,搭载于图像感应器各像素表面的镜片被称为微透镜。其中,无间隙微透镜是为提高聚光率,在相邻的微透镜之间形成无间隙构造。因为射入图像感应器的光线在中央和边缘部分的角度不同,致使图像的边缘部分容易产生画质降低的情况。不过,新开发的CMOS图像感应器,从画面中心到边缘部分,通过配置对应不同光线射入角度的无间隙微透镜片,使各个像素都能更有效地进行聚光。

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聚光率更高的无间隙微透镜

    并且,本块CMOS图像感应器采用了16通道数据读取,高速读取约1810万像素的庞大数据。比起之前EOS-1D Mark IV的8通道数据读取,通道提升为双倍。最高约14张/秒的连拍速度,也正是得益于这种高速数据读取。

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