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·改进全幅CMOS微结构设计
为了能让高像素与高感性能之间平衡,佳能在CMOS传感器的微结构上也进行了重新设计。最重要的就是对其光电二极管进行了改进。
光电二极管是CMOS图像感应器内部将接收自镜头的光转换为电子信号的部分。为了将光集中到光电二极管上,图像感应器各像素表面配置了微透镜。EOS 5D Mark III的CMOS图像感应器采用了通过消除相邻微透镜之间间隙、提高开口率的无间隙微透镜技术。加上缩短微透镜到光电二极管之间的距离,更加提高了聚光 率。而且EOS 5D Mark III的无间隙微透镜还能对应画面中央和周边部不同的光线入射角度。通过针对各位置配置形状适合的微透镜,使各像素都能高效聚光。通过这些技术上的改善, 增加了可以转换为电子信号的光量,提高了信噪比。充分发挥各像素的威力,实现了充满真实感的表现效果。
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